亚欧洲乱码视频一二三区,激情亚洲一区国产精品,日韩人妻视频无码中文,日韩精品久久久肉伦网站

方案

方案

【便攜儲能】主功率模塊架構分析與驅動IC選型錦囊



小功率便攜儲能(200W~600W)的主功率變換器拓撲架構如下圖所示。電池充電與電池放電采用獨立模塊實現,能量在開關變換器中只能單向流動。



1. AC-DC charger用于將市電能量轉移至電池組,對電池充電。拓撲架構為反激變換器,控制芯片可采用PN8213,因功率較小不需要專用驅動芯片;


2. DC-DC converter用于將電池電壓隔離并升壓,拓撲架構為推挽變換器,驅動芯片推薦雙通道低側驅動PN7762;



3. DC-AC inverter用于將高壓直流逆變成交流市電,拓撲架構為全橋逆變器,通常采用MCU作為主控,驅動芯片優(yōu)選電平移位半橋驅動PN7113。





PN7762 驅動芯片簡介

PN7762是一款雙通道低側驅動器,具有以下亮點:

  • VDD供電范圍4.5V~24V,所有管腳耐壓均大于24V,超高可靠性

  • 兩通道延時匹配佳,典型值1ns

  • 傳播延時低,典型值22ns

  • 驅動能力強,5A拉灌電流能力

  • 具有外部使能功能,EN為低電平時關閉OUT


PN7113 驅動芯片簡介

PN7113是一款基于電平移位技術的半橋驅動器,具有以下亮點:

  • 浮地側耐壓大于600V,適用于400V直流母線應用

  • 抗干擾能力強,CMTI大于50kV/μs,Vs負壓能力-8V

  • 兩通道延時匹配佳,小于30ns

  • 傳播延時低,典型值130ns

  • 驅動能力強,2.5A拉灌電流能力



中大功率便攜儲能(600W~3000W)的主功率變換器拓撲架構如下圖所示,能量在開關變換器中可雙向流動:S1閉合能量從市電流向電池,電池充電;S1斷開能量從電池流向負載,電池放電。



1. 電池充電模式:Converter I工作在PWM整流器模式,實現功率因數校正并產生高壓直流母線;Converter II為LLC諧振變換器,開環(huán)工作于諧振點,整個變換器近似等價為直流變壓器(DCX),產生低壓直流母線;Converter III工作在Buck變換器模式,對電池進行充電。



2. 電池放電模式Converter III工作在Boost變換器模式,用于將電池電壓升壓至低壓直流母線;Converter II為LLC諧振變換器,開環(huán)工作于諧振點,整個變換器近似等價為直流變壓器(DCX),產生高壓直流母線;Converter III工作在全橋逆變器模式,將高壓直流母線逆變成交流市電,為電子設備供電。


驅動芯片在能量雙向主功率變換器中如何選?。?/strong>以一個H橋為例說明如下:


優(yōu)選方案一


當MCU控制器與功率變換器共地,可選擇兩顆基于電平移位技術的半橋驅動芯片,根據母線電壓選擇驅動芯片:低壓直流母線選取150V耐壓驅動芯片PN7011,高壓直流母線選取600V耐壓驅動芯片PN7113。


備選方案


當MCU控制器與功率電路共地,可選取兩顆單通道隔離驅動PN7901M和一顆雙通道低側驅動PN7762。


優(yōu)選方案二


當MCU控制器與功率變換器不共地,可選擇兩顆基于容隔離技術的半橋驅動芯片PN7921(或四顆單通道隔離驅動PN7903)。




PN7011 驅動芯片簡介

PN7011是一款基于電平移位技術的半橋驅動器,具有以下亮點:

  • 浮地側耐壓大于150V,適用于120V直流母線應用

  • 抗干擾能力強, CMTI大于50kV/μs

  • 兩通道延時匹配佳,典型值3ns

  • 傳播延時低,典型值30ns

  • 驅動能力強,4A拉灌電流能力

PN7921 驅動芯片簡介

PN7921是一款基于OOK調制的容隔離雙通道驅動器,具有以下亮點:

  • 寬體SOP16封裝,隔離電壓大于5700V 

  • 抗干擾能力強, CMTI大于150kV/μs

  • 兩通道延時匹配佳,小于2ns

  • 傳播延時低,典型值44ns

  • 驅動能力強,4A/8A拉灌電流能力

PN7903 驅動芯片簡介

PN7903是一款基于OOK調制的容隔離單通道驅動器,具有以下亮點:

  • 寬體SOP6封裝,隔離電壓大于5700V 

  • 抗干擾能力強, CMTI大于150kV/μs

  • 傳播延時低,典型值70ns

  • 脈寬畸變失真小,小于35ns

  • 驅動能力強,4.5A/5.3A拉灌電流能力

PN7901M 驅動芯片簡介

PN7901M是一款帶米勒鉗位的容隔離單通道柵極驅動芯片 ,具有以下亮點:

  • 采用SOP8封裝,輸入輸出隔離電壓大于2500V

  • 電源電壓范圍寬:

    VCC1:3.1V~24V,VCC2:13V~24V

  • 驅動能力強,5A拉灌電流能力

  • 帶米勒鉗位功能,3A拉電流能力

  • 抗干擾能力強, CMTI高達150kV/μs



含寄生參數的功率MOSFET及其驅動電路如下圖所示,其中Rup和Rlow為驅動芯片輸出級上管和下管導通電阻,Rg為外部驅動電阻,Rgi為功率器件內部柵極電阻,Ls為柵極寄生電感,Cgs、 Cgd、 Cds為功率管的柵源、柵漏、漏源之間的寄生電容。


該電路可進一步簡化為:


外部驅動電阻Rg選取依據:

備注:Q為Req、Ls、Ciss形成的串聯諧振電路的品質因數。


通過調節(jié)外部驅動電阻Rg,使得品質因數Q介于0.5(臨界阻尼)到1(欠阻尼)之間。




往期回顧

01

12V2A創(chuàng)新套片,SOP8全集成!去Y!


02

65-100W快充QR-LOCK控制技術揭秘


03

【工業(yè)輔源】帶輸入電壓前饋的準諧振反激芯片AP8265










www.chipown.com

為您提供高效可靠的功率半導體芯片及解決方案




在線問答

問題
回答:

* 如果未能解決您的疑問,您可以繼續(xù)提問,也可以選擇直接聯系我們,我們會盡力協(xié)助貴司解決。

* 請留下真實正確的聯系方式,方便我們工程師與您取得聯系,詳細了解問題并做出正確回復。